中国国门时报新闻:
武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC,以下简称武汉新芯),今日宣布其第一个基于SST应用方案的55nm嵌入式闪存工艺验证模块上已经取得成功,其高压和存储单元电性测试结果与设计目标值完全吻合,16M存储阵列良率符合预期。这是武汉新芯低功耗嵌入式闪存技术研发的一个重要里程碑。
武汉新芯于2014年正式开始与SST合作开发高可靠性的嵌入式闪存技术。在双方工程师的共同努力下,仅用不到1年时间就完成了技术导入、工艺设计和器件研发制造。目前,器件的高压(HV)和单元(Cell)电性参数完全符合预期,整体电路结构兼具高可靠性和低成本,能完全满足智能卡和物联网产品的需求。紧接着,武汉新芯将与合作伙伴试产智能卡产品,以验证终端产品功能和性能,并以此进一步优化工艺、提升良率,实现量产。
“在55nm嵌入式闪存工艺上取得的进展意味着武汉新芯正稳步推进自己55nm低功耗物联网平台的建设。”武汉新芯市场部副总裁黄建冬说道,“我们将继续拓展现有的制造能力,持续完善工艺平台,为客户带来更多定制化的技术与代工服务。”
《中国国门时报》
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